Производитель Номер продукта:
G080P06M
Product Overview
Производитель:
Goford Semiconductor
Номер детали:
G080P06M-DG
Описание:
P-60V,-195A,RD(MAX)<7.5M@-10V,VT
Подробное описание:
P-Channel 60 V 195A (Tc) 294W (Tc) Surface Mount TO-263
Инвентаризация:
842 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12993026
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
G080P06M Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Goford Semiconductor
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
195A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
7.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
186 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
15870 pF @ 30 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
294W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
TO-263
Упаковка / Чехол
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
800
Другие названия
3141-G080P06MDKR
3141-G080P06MTR
3141-G080P06MCT
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
RoHS Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
3 (168 Hours)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
G1K3N10G
N100V, 5A,RD<130M@10V,VTH1V~2V,
G1K3N10G
MOSFET N-CH 100V 5A TO-89
G220P02D2
MOSFET P-CH 20V 8A DFN2*2-6L
