DMTH12H007SK3-13
Производитель Номер продукта:

DMTH12H007SK3-13

Product Overview

Производитель:

Diodes Incorporated

Номер детали:

DMTH12H007SK3-13-DG

Описание:

MOSFET BVDSS: 101V~250V TO252 T&
Подробное описание:
N-Channel 120 V 86A (Tc) 2W (Ta) Surface Mount TO-252 (DPAK)

Инвентаризация:

12993024
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

DMTH12H007SK3-13 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Diodes Incorporated
Упаковка
Bulk
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
120 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
86A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
8.9mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
44 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
3142 pF @ 60 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
2W (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
TO-252 (DPAK)
Упаковка / Чехол
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Базовый номер продукта
DMTH12

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
2,500
Другие названия
31-DMTH12H007SK3-13

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
goford-semiconductor

G2K8P15S

P-150V,-2.2A,RD(MAX)<310M@-10V,V

goford-semiconductor

G080P06M

P-60V,-195A,RD(MAX)<7.5M@-10V,VT

goford-semiconductor

G1K3N10G

N100V, 5A,RD<130M@10V,VTH1V~2V,

goford-semiconductor

G1K3N10G

MOSFET N-CH 100V 5A TO-89