Производитель Номер продукта:
DMPH33M8SPSWQ-13
Product Overview
Производитель:
Diodes Incorporated
Номер детали:
DMPH33M8SPSWQ-13-DG
Описание:
MOSFET BVDSS: 25V~30V PowerDI506
Подробное описание:
P-Channel 30 V 100A (Tc) 1.7W (Ta) Surface Mount PowerDI5060-8 (Type Q)
Инвентаризация:
12992705
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
DMPH33M8SPSWQ-13 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Diodes Incorporated
Упаковка
Bulk
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
6V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
3.8mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
81 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
3775 pF @ 15 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
1.7W (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PowerDI5060-8 (Type Q)
Упаковка / Чехол
8-PowerTDFN
Базовый номер продукта
DMPH33
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,500
Другие названия
31-DMPH33M8SPSWQ-13
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
ISC030N12NM6ATMA1
OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V
ISZ330N12LM6ATMA1
OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V
IPT017N12NM6ATMA1
OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V
