Производитель Номер продукта:
DMT12H060LFDF-7
Product Overview
Производитель:
Diodes Incorporated
Номер детали:
DMT12H060LFDF-7-DG
Описание:
MOSFET BVDSS: 101V~250V U-DFN202
Подробное описание:
N-Channel 115 V 4.4A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount U-DFN2020-6 (Type F)
Инвентаризация:
783 Шт Новые Оригиналы В Наличии
13000959
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
DMT12H060LFDF-7 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Diodes Incorporated
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
115 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
4.4A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
1.5V, 4.5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
65mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1.4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
7.8 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±8V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
475 pF @ 50 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
1.1W (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
U-DFN2020-6 (Type F)
Упаковка / Чехол
6-UDFN Exposed Pad
Базовый номер продукта
DMT12
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
31-DMT12H060LFDF-7TR
31-DMT12H060LFDF-7CT
31-DMT12H060LFDF-7DKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
TSM60NB1R4CP
600V, 3A, SINGLE N-CHANNEL POWER
DMP22D5UFO-7B
MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN0604-
SCT4062KEHRC11
1200V, 26A, 3-PIN THD, TRENCH-ST
