Производитель Номер продукта:
DMT15H053SK3-13
Product Overview
Производитель:
Diodes Incorporated
Номер детали:
DMT15H053SK3-13-DG
Описание:
MOSFET BVDSS: 101V~250V TO252 T&
Подробное описание:
N-Channel 150 V 21A (Tc) 1.7W (Ta) Surface Mount TO-252 (DPAK)
Инвентаризация:
12993016
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
DMT15H053SK3-13 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Diodes Incorporated
Упаковка
Bulk
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
150 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
21A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
60mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
11.5 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
814 pF @ 75 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
1.7W (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
TO-252 (DPAK)
Упаковка / Чехол
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Базовый номер продукта
DMT15
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,500
Другие названия
31-DMT15H053SK3-13
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
3 (168 Hours)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
DMP2900UFB-7B
MOSFET BVDSS: 8V~24V X1-DFN1006-
DMT10H4M9SPSW-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI50
DMTH12H007SK3-13
MOSFET BVDSS: 101V~250V TO252 T&
