Производитель Номер продукта:
DMT15H053SPSW-13
Product Overview
Производитель:
Diodes Incorporated
Номер детали:
DMT15H053SPSW-13-DG
Описание:
MOSFET BVDSS: 101V~250V POWERDI5
Подробное описание:
N-Channel 150 V 24A (Tc) 1.9W (Ta), 90W (Tc) Surface Mount, Wettable Flank PowerDI5060-8 (Type UX)
Инвентаризация:
13269124
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
DMT15H053SPSW-13 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Diodes Incorporated
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
150 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
24A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
66mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
11.5 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
814 pF @ 75 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
1.9W (Ta), 90W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Степень
-
Квалификация
-
Тип крепления
Surface Mount, Wettable Flank
Комплект устройства поставщика
PowerDI5060-8 (Type UX)
Упаковка / Чехол
8-PowerTDFN
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,500
Другие названия
31-DMT15H053SPSW-13TR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Статус REACH
REACH Unaffected
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IPP029N06NXKSA1
TRENCH 40<-<100V
ISC015N06NM5LF2ATMA1
TRENCH 40<-<100V
IRFB4110PBFXKMA1
TRENCH >=100V