Производитель Номер продукта:
DMT6017LSS-13
Product Overview
Производитель:
Diodes Incorporated
Номер детали:
DMT6017LSS-13-DG
Описание:
MOSFET N-CH 60V 9.2A 8SO
Подробное описание:
N-Channel 60 V 9.2A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Инвентаризация:
2201 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12949807
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
DMT6017LSS-13 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Diodes Incorporated
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
9.2A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
18mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
17 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
864 pF @ 30 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
1.5W (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
8-SO
Упаковка / Чехол
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Базовый номер продукта
DMT6017
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,500
Другие названия
DMT6017LSS-13DICT
DMT6017LSS-13DIDKR
DMT6017LSS-13DITR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
DMT6016LSS-13
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Diodes Incorporated
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
48345
Номер части
DMT6016LSS-13-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.16
Тип замещения
Parametric Equivalent
Сертификация DIGI
Связанные продукты
DMN3021LFDF-13
MOSFET N-CH 30V 11.8A 6UDFN
TK12E80W,S1X
MOSFET N-CH 800V 11.5A TO220
TK62J60W,S1VQ
MOSFET N-CH 600V 61.8A TO3P
