Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Russian
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Russian
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
ДР Конго
Аргентина
Турция
Румыния
Литва
Норвегия
Австрия
Ангола
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Беларусь
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Черногория
Русский
Бельгия
Швеция
Сербия
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Молдова
Германия
Нидерланды
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
Франция
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Португалия
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Испания
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
DMTH6004SCTB-13
Product Overview
Производитель:
Diodes Incorporated
Номер детали:
DMTH6004SCTB-13-DG
Описание:
MOSFET N-CH 60V 100A TO263AB
Подробное описание:
N-Channel 60 V 100A (Tc) 4.7W (Ta), 136W (Tc) Surface Mount TO-263
Инвентаризация:
790 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12888867
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
DMTH6004SCTB-13 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Diodes Incorporated
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
3.4mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
95.4 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
4556 pF @ 30 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
4.7W (Ta), 136W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
TO-263
Упаковка / Чехол
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Базовый номер продукта
DMTH6004
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
DMTH6004SCTB-13
HTML Спецификация
DMTH6004SCTB-13-DG
Дополнительная информация
Стандартный пакет
800
Другие названия
DMTH6004SCTB-13DITR
DMTH6004SCTB-13DIDKR
DMTH6004SCTB-13DICT
DMTH6004SCTB-13-DG
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
DMTH6004SCTBQ-13
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Diodes Incorporated
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
667
Номер части
DMTH6004SCTBQ-13-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.23
Тип замещения
Parametric Equivalent
Номер детали
IPB034N06L3GATMA1
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Infineon Technologies
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
1977
Номер части
IPB034N06L3GATMA1-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.77
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
FDB029N06
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Fairchild Semiconductor
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
5208
Номер части
FDB029N06-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
3.77
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
DMT8008LSS-13
MOSFET BVDSS: 61V-100V SO-8
DMN3051L-7
MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3
DMP3010LK3Q-13
MOSFET P-CH 30V 17A TO252
DMN65D8LQ-7
MOSFET N-CH 60V 310MA SOT23