DMTH8028LFVW-7
Производитель Номер продукта:

DMTH8028LFVW-7

Product Overview

Производитель:

Diodes Incorporated

Номер детали:

DMTH8028LFVW-7-DG

Описание:

MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33
Подробное описание:
N-Channel 80 V 27A (Tc) 1.5W (Ta) Surface Mount, Wettable Flank PowerDI3333-8 (SWP) Type UX

Инвентаризация:

13000939
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

DMTH8028LFVW-7 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Diodes Incorporated
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
80 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
27A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
25mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
10.4 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
631 pF @ 40 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
1.5W (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount, Wettable Flank
Комплект устройства поставщика
PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Упаковка / Чехол
8-PowerVDFN

Технический паспорт и документы

Технические характеристики

Дополнительная информация

Стандартный пакет
2,000
Другие названия
31-DMTH8028LFVW-7TR

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095

Альтернативные модели

Номер детали
DMTH8028LFVWQ-7
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Diodes Incorporated
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
0
Номер части
DMTH8028LFVWQ-7-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.21
Тип замещения
Parametric Equivalent
Номер детали
DMTH8028LFVWQ-13
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Diodes Incorporated
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
3000
Номер части
DMTH8028LFVWQ-13-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.21
Тип замещения
Parametric Equivalent
Сертификация DIGI
Связанные продукты
diodes

DMT10H009SCG-7

MOSFET BVDSS: 61V~100V V-DFN3333

goford-semiconductor

G33N03S

N30V,RD(MAX)<12M@10V,RD(MAX)<13M

goford-semiconductor

G65P06T

MOSFET P-CH 60V 65A TO-220

goford-semiconductor

GT105N10T

N100V,RD(MAX)<10.5M@10V,RD(MAX)<