Производитель Номер продукта:
G33N03S
Product Overview
Производитель:
Goford Semiconductor
Номер детали:
G33N03S-DG
Описание:
N30V,RD(MAX)<12M@10V,RD(MAX)<13M
Подробное описание:
N-Channel 30 V 13A (Tc) 2.5W (Tc) Surface Mount 8-SOP
Инвентаризация:
3930 Шт Новые Оригиналы В Наличии
13000943
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
G33N03S Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Goford Semiconductor
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
13A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
12mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1.1V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
13 nC @ 5 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1550 pF @ 15 V
Функция полевых транзисторов
Standard
Рассеиваемая мощность (макс.)
2.5W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
8-SOP
Упаковка / Чехол
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
4,000
Другие названия
3141-G33N03STR
4822-G33N03STR
3141-G33N03SCT
3141-G33N03SDKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
3 (168 Hours)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
G33N03S
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Goford Semiconductor
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
3930
Номер части
G33N03S-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.11
Тип замещения
Parametric Equivalent
Сертификация DIGI
Связанные продукты
G65P06T
MOSFET P-CH 60V 65A TO-220
GT105N10T
N100V,RD(MAX)<10.5M@10V,RD(MAX)<
NVMYS2D3N06CTWG
T6 60V SL LFPAK4 5X6
