Производитель Номер продукта:
G65P06T
Product Overview
Производитель:
Goford Semiconductor
Номер детали:
G65P06T-DG
Описание:
MOSFET P-CH 60V 65A TO-220
Подробное описание:
P-Channel 65A (Tc) 130W (Tc) Through Hole TO-220
Инвентаризация:
13000952
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
G65P06T Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Goford Semiconductor
Упаковка
-
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
65A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
18mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.5V @ 250µA
Vgs (макс.)
±20V
Функция полевых транзисторов
Standard
Рассеиваемая мощность (макс.)
130W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-220
Упаковка / Чехол
TO-220-3
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,000
Другие названия
4822-G65P06T
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
RoHS non-compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
3 (168 Hours)
Статус REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
GT105N10T
N100V,RD(MAX)<10.5M@10V,RD(MAX)<
NVMYS2D3N06CTWG
T6 60V SL LFPAK4 5X6
DMT12H060LFDF-7
MOSFET BVDSS: 101V~250V U-DFN202
