Производитель Номер продукта:
BC807-16
Product Overview
Производитель:
Diotec Semiconductor
Номер детали:
BC807-16-DG
Описание:
BJT SOT-23 45V 800MA
Подробное описание:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 45 V 800 mA 100MHz 310 mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Инвентаризация:
3000 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12976766
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
BC807-16 Технические характеристики
Категория
Биполярный транзистор (BJT), Одиночные биполярные транзисторы
Производитель
Diotec Semiconductor
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип транзистора
PNP
Ток - коллектор (IC) (макс.)
800 mA
Напряжение - пробой эмиттера коллектора (макс.)
45 V
vce сатурация (макс.) @ ib, ic
700mV @ 50mA, 500mA
Ток - Отсечка коллектора (макс.)
100nA (ICBO)
Усиление по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce
100 @ 100mA, 1V
Мощность - Макс
310 mW
Частота - переход
100MHz
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Комплект устройства поставщика
SOT-23-3 (TO-236)
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
4878-BC807-16CT
2796-BC807-16TR-DG
4878-BC807-16TR
2796-BC807-16TR
4878-BC807-16DKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
Not applicable
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
Not Applicable
Статус REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0075
Сертификация DIGI
Связанные продукты
2SD734F
NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON TRA
2SD734F-AA
NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON TRA
2SA812B-T1B-AT
2SA812B-T1B-AT - PNP SILICON EPI
