Производитель Номер продукта:
EPC8004
Product Overview
Производитель:
EPC
Номер детали:
EPC8004-DG
Описание:
GANFET N-CH 40V 4A DIE
Подробное описание:
N-Channel 40 V 4A (Ta) Surface Mount Die
Инвентаризация:
8790 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12815437
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
EPC8004 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
EPC
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
eGaN®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
GaNFET (Gallium Nitride)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
40 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
4A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
110mOhm @ 500mA, 5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
0.45 nC @ 5 V
Vgs (макс.)
+6V, -4V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
52 pF @ 20 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
-
Рабочая температура
-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
Die
Упаковка / Чехол
Die
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,500
Другие названия
917-1072-1
917-1072-2
917-1072-6
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0040
Сертификация DIGI
Связанные продукты
DN2540N3-G
MOSFET N-CH 400V 120MA TO92
IRFSL59N10D
MOSFET N-CH 100V 59A TO262
IRF250P224
MOSFET N-CH 250V 96A TO247AC
