Производитель Номер продукта:
FDA18N50
Product Overview
Производитель:
Fairchild Semiconductor
Номер детали:
FDA18N50-DG
Описание:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Подробное описание:
N-Channel 500 V 19A (Tc) 239W (Tc) Through Hole TO-3PN
Инвентаризация:
1564 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12946683
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
FDA18N50 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Упаковка
Bulk
Серия
UniFET™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
500 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
19A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
265mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
60 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2860 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
239W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-3PN
Упаковка / Чехол
TO-3P-3, SC-65-3
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
169
Другие названия
2156-FDA18N50
ONSONSFDA18N50
Классификация окружающей среды и экспорта
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8542.39.0001
Сертификация DIGI
Связанные продукты
FQP8N60C
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7
FQPF630
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6
AUIRF1010Z
MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
