Производитель Номер продукта:
FDB86102LZ
Product Overview
Производитель:
Fairchild Semiconductor
Номер детали:
FDB86102LZ-DG
Описание:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8
Подробное описание:
N-Channel 100 V 8.3A (Ta), 30A (Tc) 3.1W (Ta) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Инвентаризация:
6118 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12946803
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
FDB86102LZ Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Упаковка
Bulk
Серия
PowerTrench®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
8.3A (Ta), 30A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
24mOhm @ 8.3A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
21 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1275 pF @ 50 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
3.1W (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
TO-263 (D2PAK)
Упаковка / Чехол
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
345
Другие названия
ONSONSFDB86102LZ
2156-FDB86102LZ
Классификация окружающей среды и экспорта
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8542.39.0001
Сертификация DIGI
Связанные продукты
FQA27N25
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
FDS8672S
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
AUIRF3205ZS
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
