Производитель Номер продукта:
FDFMA2P853
Product Overview
Производитель:
Fairchild Semiconductor
Номер детали:
FDFMA2P853-DG
Описание:
MOSFET P-CH 20V 3A 6MICROFET
Подробное описание:
P-Channel 20 V 3A (Ta) 1.4W (Ta) Surface Mount 6-MicroFET (2x2)
Инвентаризация:
22471 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12946796
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
FDFMA2P853 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Упаковка
Bulk
Серия
PowerTrench®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
20 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
3A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
1.8V, 4.5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
120mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1.3V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
6 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±8V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
435 pF @ 10 V
Функция полевых транзисторов
Schottky Diode (Isolated)
Рассеиваемая мощность (макс.)
1.4W (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
6-MicroFET (2x2)
Упаковка / Чехол
6-VDFN Exposed Pad
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
825
Другие названия
2156-FDFMA2P853
ONSONSFDFMA2P853
Классификация окружающей среды и экспорта
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8542.39.0001
Сертификация DIGI
Связанные продукты
FCPF380N60
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
FQP3N80C
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
FDB86102LZ
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8
