Производитель Номер продукта:
FQP3N80C
Product Overview
Производитель:
Fairchild Semiconductor
Номер детали:
FQP3N80C-DG
Описание:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
Подробное описание:
N-Channel 800 V 3A (Tc) 107W (Tc) Through Hole TO-220-3
Инвентаризация:
53553 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12946802
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
FQP3N80C Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Упаковка
Bulk
Серия
QFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
800 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
3A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
4.8Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
16.5 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
705 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
107W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-220-3
Упаковка / Чехол
TO-220-3
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
401
Другие названия
2156-FQP3N80C
FAIFSCFQP3N80C
Классификация окружающей среды и экспорта
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8542.39.0001
Сертификация DIGI
Связанные продукты
FDB86102LZ
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8
FQA27N25
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
FDS8672S
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
