FQP4N20L
Производитель Номер продукта:

FQP4N20L

Product Overview

Производитель:

Fairchild Semiconductor

Номер детали:

FQP4N20L-DG

Описание:

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
Подробное описание:
N-Channel 200 V 3.8A (Tc) 45W (Tc) Through Hole TO-220-3

Инвентаризация:

2000 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12946627
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

FQP4N20L Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Упаковка
Bulk
Серия
QFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
200 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
3.8A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
1.35Ohm @ 1.9A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
5.2 nC @ 5 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
310 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
45W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-220-3
Упаковка / Чехол
TO-220-3

Технический паспорт и документы

Технические характеристики

Дополнительная информация

Стандартный пакет
548
Другие названия
FAIFSCFQP4N20L
2156-FQP4N20L

Классификация окружающей среды и экспорта

ECCN
EAR99
ХИТСУС
8542.39.0001
Сертификация DIGI
Связанные продукты
international-rectifier

IRF6726MTRPBF

IRF6726 - 12V-300V N-CHANNEL POW

fairchild-semiconductor

FDPF44N25TRDTU

MOSFET N-CH 250V 44A TO220F

fairchild-semiconductor

FQPF7N80C

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6

fairchild-semiconductor

FQB6N40CTM

MOSFET N-CH 400V 6A D2PAK