Производитель Номер продукта:
FQPF7N65CYDTU
Product Overview
Производитель:
Fairchild Semiconductor
Номер детали:
FQPF7N65CYDTU-DG
Описание:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N
Подробное описание:
N-Channel 650 V 7A (Tc) 52W (Tc) Through Hole TO-220F-3 (Y-Forming)
Инвентаризация:
1572 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12946671
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
FQPF7N65CYDTU Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Упаковка
Bulk
Серия
QFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
650 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
7A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
1.4Ohm @ 3.5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
36 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1245 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
52W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-220F-3 (Y-Forming)
Упаковка / Чехол
TO-220-3 Full Pack, Formed Leads
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
366
Другие названия
2156-FQPF7N65CYDTU
FAIFSCFQPF7N65CYDTU
Классификация окружающей среды и экспорта
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8542.39.0001
Сертификация DIGI
Связанные продукты
FDA16N50-F109
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
FDA18N50
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
FQP8N60C
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7