Производитель Номер продукта:
FQU5N60CTU
Product Overview
Производитель:
Fairchild Semiconductor
Номер детали:
FQU5N60CTU-DG
Описание:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
Подробное описание:
N-Channel 600 V 2.8A (Tc) 2.5W (Ta), 49W (Tc) Through Hole I-PAK
Инвентаризация:
4040 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12947147
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
FQU5N60CTU Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Упаковка
Bulk
Серия
QFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
2.8A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
2.5Ohm @ 1.4A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
19 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
670 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
2.5W (Ta), 49W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
I-PAK
Упаковка / Чехол
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
695
Другие названия
2156-FQU5N60CTU
FAIFSCFQU5N60CTU
Классификация окружающей среды и экспорта
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8542.39.0001
Сертификация DIGI
Связанные продукты
PSMN2R6-60PSQ
NOW NEXPERIA PSMN2R6-60PSQ - 150
FCU2250N80Z
MOSFET N-CH 800V 2.6A I-PAK
FDB8896
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8
