Производитель Номер продукта:
HUF75639S3ST
Product Overview
Производитель:
Fairchild Semiconductor
Номер детали:
HUF75639S3ST-DG
Описание:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5
Подробное описание:
N-Channel 100 V 56A (Tc) 200W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Инвентаризация:
8245 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12947317
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
HUF75639S3ST Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Упаковка
Bulk
Серия
UltraFET™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
56A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
25mOhm @ 56A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
130 nC @ 20 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2000 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
200W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
TO-263 (D2PAK)
Упаковка / Чехол
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
235
Другие названия
FAIFSCHUF75639S3ST
2156-HUF75639S3ST
Классификация окружающей среды и экспорта
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
FDMC7660S
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4
PHB21N06LT,118
NOW NEXPERIA PHB21N06LT - 19A, 5
IRF6662TRPBF
IRF6662 - 12V-300V N-CHANNEL POW
