G10P03
Производитель Номер продукта:

G10P03

Product Overview

Производитель:

Goford Semiconductor

Номер детали:

G10P03-DG

Описание:

P30V,RD(MAX)<[email protected],RD(MAX)<3
Подробное описание:
P-Channel 30 V 10A (Tc) 20W (Tc) Surface Mount 8-DFN (3.15x3.05)

Инвентаризация:

4934 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12986249
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

G10P03 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Goford Semiconductor
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
10A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
2.5V, 4.5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
26mOhm @ 10A, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
27 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±12V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1550 pF @ 15 V
Функция полевых транзисторов
Standard
Рассеиваемая мощность (макс.)
20W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
8-DFN (3.15x3.05)
Упаковка / Чехол
8-PowerVDFN

Технический паспорт и документы

Технические характеристики

Дополнительная информация

Стандартный пакет
5,000
Другие названия
3141-G10P03CT
3141-G10P03DKR
4822-G10P03TR
3141-G10P03TR

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
3 (168 Hours)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
international-rectifier

IRFU7746PBF

TRENCH 40<-<100V

goford-semiconductor

G33N03S

MOSFET N-CH 30V 13A SOP-8

toshiba-semiconductor-and-storage

XPH3R206NC,L1XHQ

MOSFET N-CH 60V 70A 8SOP

goford-semiconductor

G15N10C

MOSFET N-CH 100V 22A TO-252