G33N03S
Производитель Номер продукта:

G33N03S

Product Overview

Производитель:

Goford Semiconductor

Номер детали:

G33N03S-DG

Описание:

MOSFET N-CH 30V 13A SOP-8
Подробное описание:
N-Channel 13A (Tc) 2.5W (Tc) Surface Mount 8-SOP

Инвентаризация:

8000 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12986297
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

G33N03S Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Goford Semiconductor
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
13A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
12mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1.1V @ 250µA
Vgs (макс.)
±20V
Функция полевых транзисторов
Standard
Рассеиваемая мощность (макс.)
2.5W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
8-SOP
Упаковка / Чехол
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Технический паспорт и документы

Технические характеристики

Дополнительная информация

Стандартный пакет
4,000
Другие названия
4822-G33N03STR

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
RoHS non-compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
3 (168 Hours)
Статус REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
toshiba-semiconductor-and-storage

XPH3R206NC,L1XHQ

MOSFET N-CH 60V 70A 8SOP

goford-semiconductor

G15N10C

MOSFET N-CH 100V 22A TO-252

diodes

DMNH6069SFVW-7

MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI333

diodes

DMTH8008LFG-7

MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33