Производитель Номер продукта:
G130N06M
Product Overview
Производитель:
Goford Semiconductor
Номер детали:
G130N06M-DG
Описание:
N60V, 90A,RD<12M@10V,VTH1.0V~2.4
Подробное описание:
N-Channel 60 V 90A (Tc) 85W (Tc) Surface Mount TO-263
Инвентаризация:
780 Шт Новые Оригиналы В Наличии
13309548
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
G130N06M Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Goford Semiconductor
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET®
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Состояние детали
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
90A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
12mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
36.6 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2867 pF @ 30 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
85W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
TO-263
Упаковка / Чехол
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
800
Другие названия
3141-G130N06MTR
3141-G130N06MCT
3141-G130N06MDKR
4822-G130N06MTR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
RoHS Compliant
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
G130N06M
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Goford Semiconductor
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
780
Номер части
G130N06M-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.32
Тип замещения
Parametric Equivalent
Сертификация DIGI
Связанные продукты
GT023N10T
N100V, 140A,RD<2.7M@10V,VTH2.7V~
SSM6K804R,LF
N-CH MOSFET 40V, +/-20V, 12A ,0.
SSM6J808R,LF
P-CH MOSFET, -40 V, -7 A, 0.035O
