Производитель Номер продукта:
G18P03D3
Product Overview
Производитель:
Goford Semiconductor
Номер детали:
G18P03D3-DG
Описание:
P30V,RD(MAX)<10M@-10V,RD(MAX)<15
Подробное описание:
P-Channel 30 V 50A (Tc) 60W (Tc) Surface Mount 8-DFN (3.15x3.05)
Инвентаризация:
5985 Шт Новые Оригиналы В Наличии
13000364
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
G18P03D3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Goford Semiconductor
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
10mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2060 pF @ 15 V
Функция полевых транзисторов
Standard
Рассеиваемая мощность (макс.)
60W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
8-DFN (3.15x3.05)
Упаковка / Чехол
8-PowerVDFN
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
3141-G18P03D3DKR
3141-G18P03D3CT
3141-G18P03D3TR
4822-G18P03D3TR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
3 (168 Hours)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IRFB5615PBFXKMA1
MOSFET N-CH
DMN2991UFO-7B
MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN0604-
DMN3061SWQ-7
MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT323 T&R
