Производитель Номер продукта:
GT105N10F
Product Overview
Производитель:
Goford Semiconductor
Номер детали:
GT105N10F-DG
Описание:
MOSFET N-CH 100V 33A TO-220F
Подробное описание:
N-Channel 33A (Tc) 20.8W (Tc) Through Hole TO-220F
Инвентаризация:
60000 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12986227
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
GT105N10F Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Goford Semiconductor
Упаковка
Tube
Серия
SGT
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
33A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
10.5mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 250µA
Vgs (макс.)
±20V
Функция полевых транзисторов
Standard
Рассеиваемая мощность (макс.)
20.8W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-220F
Упаковка / Чехол
TO-220-3 Full Pack
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,000
Другие названия
4822-GT105N10F
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
RoHS non-compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
3 (168 Hours)
Статус REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IAUZ40N08S5N100ATMA1
MOSFET N-CH 75V 80A 8TSDSON
SQS160ELNW-T1_GE3
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
G10P03
P30V,RD(MAX)<[email protected],RD(MAX)<3
