SQS160ELNW-T1_GE3
Производитель Номер продукта:

SQS160ELNW-T1_GE3

Product Overview

Производитель:

Vishay Siliconix

Номер детали:

SQS160ELNW-T1_GE3-DG

Описание:

AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Подробное описание:
N-Channel 60 V 141A (Tc) 113W (Tc) Surface Mount, Wettable Flank PowerPAK® 1212-8SLW

Инвентаризация:

12986241
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

SQS160ELNW-T1_GE3 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET® Gen IV
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
141A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
4.3mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
71 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
3866 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
113W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Surface Mount, Wettable Flank
Комплект устройства поставщика
PowerPAK® 1212-8SLW
Упаковка / Чехол
PowerPAK® 1212-8SLW
Базовый номер продукта
SQS160

Технический паспорт и документы

Технические характеристики

Дополнительная информация

Стандартный пакет
3,000
Другие названия
742-SQS160ELNW-T1_GE3TR
742-SQS160ELNW-T1_GE3CT

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
goford-semiconductor

G10P03

P30V,RD(MAX)<[email protected],RD(MAX)<3

international-rectifier

IRFU7746PBF

TRENCH 40<-<100V

goford-semiconductor

G33N03S

MOSFET N-CH 30V 13A SOP-8

toshiba-semiconductor-and-storage

XPH3R206NC,L1XHQ

MOSFET N-CH 60V 70A 8SOP