BSC007N04LS6SCATMA1
Производитель Номер продукта:

BSC007N04LS6SCATMA1

Product Overview

Производитель:

Infineon Technologies

Номер детали:

BSC007N04LS6SCATMA1-DG

Описание:

TRENCH <= 40V
Подробное описание:
N-Channel 40 V 48A (Ta), 381A (Tc) 3W (Ta), 188W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8 FL

Инвентаризация:

3272 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12988902
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

BSC007N04LS6SCATMA1 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Серия
OptiMOS™ 6
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
40 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
48A (Ta), 381A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
0.7mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.3V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
118 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
8400 pF @ 20 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
3W (Ta), 188W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-TDSON-8 FL
Упаковка / Чехол
8-PowerTDFN

Технический паспорт и документы

Технические характеристики

Дополнительная информация

Стандартный пакет
4,000
Другие названия
448-BSC007N04LS6SCATMA1DKR
448-BSC007N04LS6SCATMA1TR
SP005561090
448-BSC007N04LS6SCATMA1CT

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
toshiba-semiconductor-and-storage

TK25A20D,S5X

PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-

anbon-semiconductor

AS1M025120T

N-CHANNEL SILICON CARBIDE POWER

anbon-semiconductor

2N7002E

N-CHANNEL SMD MOSFET ESD PROTECT