Производитель Номер продукта:
BSC093N15NS5ATMA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
BSC093N15NS5ATMA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 150V 87A TDSON
Подробное описание:
N-Channel 150 V 87A (Tc) 139W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-7
Инвентаризация:
7592 Шт Новые Оригиналы В Наличии
13063958
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
BSC093N15NS5ATMA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
OptiMOS™
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Состояние детали
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
150 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
87A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
8V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
9.3mOhm @ 44A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4.6V @ 107µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
40.7 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
3230 pF @ 75 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
139W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-TDSON-8-7
Упаковка / Чехол
8-PowerTDFN
Базовый номер продукта
BSC093
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
5,000
Другие названия
BSC093N15NS5ATMA1-ND
SP001279590
BSC093N15NS5ATMA1CT
BSC093N15NS5ATMA1DKR
BSC093N15NS5ATMA1TR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IPD10N03LA
MOSFET N-CH 25V 30A TO252-3
BSZ900N15NS3GATMA1
MOSFET N-CH 150V 13A 8TSDSON
IPD60R1K0CEATMA1
MOSFET N-CH 600V 4.3A TO252-3
