BSC13DN30NSFDATMA1
Производитель Номер продукта:

BSC13DN30NSFDATMA1

Product Overview

Производитель:

Infineon Technologies

Номер детали:

BSC13DN30NSFDATMA1-DG

Описание:

MOSFET N-CH 300V 16A TDSON-8-1
Подробное описание:
N-Channel 300 V 16A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1

Инвентаризация:

3254 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12801878
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

BSC13DN30NSFDATMA1 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
OptiMOS™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
300 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
16A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
130mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 90µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2450 pF @ 150 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
150W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-TDSON-8-1
Упаковка / Чехол
8-PowerTDFN
Базовый номер продукта
BSC13DN30

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
5,000
Другие названия
BSC13DN30NSFDATMA1TR
BSC13DN30NSFDATMA1DKR
BSC13DN30NSFDATMA1CT
2156-BSC13DN30NSFDATMA1
SP000854374
INFINFBSC13DN30NSFDATMA1
BSC13DN30NSFDATMA1-DG

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
infineon-technologies

AUIRF7799L2TR

MOSFET N-CH 250V 375A DIRECTFET

infineon-technologies

BSC024NE2LSATMA1

MOSFET N-CH 25V 25A/110A TDSON

infineon-technologies

BSC0904NSIATMA1

MOSFET N-CH 30V 20A/78A TDSON

infineon-technologies

IPA65R1K5CEXKSA1

MOSFET N-CH 650V 5.2A TO220