Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Russian
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Russian
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Русский
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Сербия
Беларусь
Нидерланды
Швеция
Черногория
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Румыния
Австрия
Бельгия
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Аргентина
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
BSP373L6327HTSA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
BSP373L6327HTSA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223-4
Подробное описание:
N-Channel 100 V 1.7A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4
Инвентаризация:
Запрос на предложение в Интернете
12800427
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
BSP373L6327HTSA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
-
Серия
SIPMOS®
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
1.7A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
300mOhm @ 1.7A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 1mA
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
550 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
1.8W (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-SOT223-4
Упаковка / Чехол
TO-261-4, TO-261AA
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
BSP373L6327HTSA1
HTML Спецификация
BSP373L6327HTSA1-DG
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1,000
Другие названия
BSP373L6327INCT-DG
BSP373 L6327-DG
BSP373L6327INCT
BSP373L6327HTSA1TR
BSP373L6327HTSA1DKR
BSP373L6327INDKR-DG
BSP373L6327
BSP373L6327XT
BSP373 L6327
BSP373L6327HTSA1CT
2156-BSP373L6327HTSA1-ITTR
SP000087065
BSP373L6327INTR
INFINFBSP373L6327HTSA1
BSP373L6327INTR-DG
BSP373L6327INDKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
BSP373NH6327XTSA1
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Infineon Technologies
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
7841
Номер части
BSP373NH6327XTSA1-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.28
Тип замещения
Direct
Номер детали
STN2NF10
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
STMicroelectronics
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
7551
Номер части
STN2NF10-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.41
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
FQT7N10TF
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
onsemi
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
11974
Номер части
FQT7N10TF-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.21
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
PMT280ENEAX
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Nexperia USA Inc.
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
3365
Номер части
PMT280ENEAX-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.11
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IPB03N03LA
MOSFET N-CH 25V 80A TO263-3
IPD70R950CEAUMA1
MOSFET N-CH 700V 7.4A TO252-3
BSP125 E6433
MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
IPB080N06N G
MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3