Производитель Номер продукта:
IMDQ75R140M1HXUMA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IMDQ75R140M1HXUMA1-DG
Описание:
SILICON CARBIDE MOSFET
Подробное описание:
N-Channel 750 V 17A (Tc) 100W (Tc) Surface Mount PG-HDSOP-22-1
Инвентаризация:
13269122
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IMDQ75R140M1HXUMA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
CoolSiC™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
750 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
17A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
15V, 20V
Rds On (макс.) @ id, vgs
129mOhm @ 4.7A, 20V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5.6V @ 1.7mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
12 nC @ 18 V
Vgs (макс.)
+23V, -5V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
351 pF @ 500 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
100W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Степень
-
Квалификация
-
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-HDSOP-22-1
Упаковка / Чехол
22-PowerBSOP Module
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
750
Другие названия
448-IMDQ75R140M1HXUMA1CT
448-IMDQ75R140M1HXUMA1DKR
SP005588271
448-IMDQ75R140M1HXUMA1TR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
3 (168 Hours)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Сертификация DIGI
Связанные продукты
DMT15H053SPSW-13
MOSFET BVDSS: 101V~250V POWERDI5
IPP029N06NXKSA1
TRENCH 40<-<100V
ISC015N06NM5LF2ATMA1
TRENCH 40<-<100V