Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Russian
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Russian
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Русский
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Сербия
Беларусь
Нидерланды
Швеция
Черногория
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Румыния
Австрия
Бельгия
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Аргентина
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
IPA093N06N3GXKSA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPA093N06N3GXKSA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 60V 43A TO220-3-31
Подробное описание:
N-Channel 60 V 43A (Tc) 33W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-31
Инвентаризация:
Запрос на предложение в Интернете
12799559
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPA093N06N3GXKSA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tube
Серия
OptiMOS™
Статус продукта
Not For New Designs
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
43A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
9.3mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 34µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
48 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
3900 pF @ 30 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
33W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
PG-TO220-3-31
Упаковка / Чехол
TO-220-3 Full Pack
Базовый номер продукта
IPA093
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
IPA093N06N3GXKSA1
HTML Спецификация
IPA093N06N3GXKSA1-DG
Дополнительная информация
Стандартный пакет
50
Другие названия
2156-IPA093N06N3GXKSA1-448
IPA093N06N3 G
SP000451088
IPA093N06N3 G-DG
IPA093N06N3G
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
TK40A06N1,S4X
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Toshiba Semiconductor and Storage
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
480
Номер части
TK40A06N1,S4X-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.42
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
AOTF2610L
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
0
Номер части
AOTF2610L-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.57
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
BSC670N25NSFDATMA1
MOSFET N-CH 250V 24A TDSON-8-1
IPA50R650CEXKSA2
MOSFET N-CH 500V 4.6A TO220
IPA040N06NXKSA1
MOSFET N-CH 60V 69A TO220-FP
BSS127H6327XTSA2
MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3