Производитель Номер продукта:
IPA65R095C7XKSA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPA65R095C7XKSA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 650V 12A TO220-FP
Подробное описание:
N-Channel 650 V 12A (Tc) 34W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Инвентаризация:
384 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12803029
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
ahec
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPA65R095C7XKSA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tube
Серия
CoolMOS™ C7
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
650 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
95mOhm @ 11.8A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 590µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2140 pF @ 400 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
34W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
PG-TO220-FP
Упаковка / Чехол
TO-220-3 Full Pack
Базовый номер продукта
IPA65R095
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
500
Другие названия
2156-IPA65R095C7XKSA1
SP001080126
INFINFIPA65R095C7XKSA1
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
TK35A65W,S5X
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Toshiba Semiconductor and Storage
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
13
Номер части
TK35A65W,S5X-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
3.02
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IRF3205STRRPBF
MOSFET N-CH 55V 110A D2PAK
IPW60R160P6FKSA1
MOSFET N-CH 600V 23.8A TO247-3
IRF7353D1PBF
MOSFET N-CH 30V 6.5A 8SO
