Производитель Номер продукта:
IPA80R1K4P7XKSA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPA80R1K4P7XKSA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 800V 4A TO220-3F
Подробное описание:
N-Channel 800 V 4A (Tc) 24W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-31
Инвентаризация:
112 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12804051
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPA80R1K4P7XKSA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tube
Серия
CoolMOS™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
800 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
4A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
1.4Ohm @ 1.4A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.5V @ 700µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
10 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
250 pF @ 500 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
24W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
PG-TO220-3-31
Упаковка / Чехол
TO-220-3 Full Pack
Базовый номер продукта
IPA80R1
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
50
Другие названия
2156-IPA80R1K4P7XKSA1
SP001422546
ROCINFIPA80R1K4P7XKSA1
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
Not Applicable
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IRFR3710ZTRLPBF
MOSFET N-CH 100V 42A DPAK
IPD320N20N3GATMA1
MOSFET N-CH 200V 34A TO252-3
IRF9310PBF
MOSFET P-CH 30V 20A 8SO
