Производитель Номер продукта:
IPB072N15N3GE8187ATMA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPB072N15N3GE8187ATMA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 150V 100A TO263-3
Подробное описание:
N-Channel 150 V 100A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Инвентаризация:
12800424
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPB072N15N3GE8187ATMA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
-
Серия
OptiMOS™
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
150 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
8V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
7.2mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 270µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
93 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
5470 pF @ 75 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
300W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-TO263-3-2
Упаковка / Чехол
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Базовый номер продукта
IPB072N
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1,000
Другие названия
IPB072N15N3 G E8187-DG
IPB072N15N3 G E8187TR-DG
IPB072N15N3 G E8187CT
IPB072N15N3 G E8187CT-DG
IPB072N15N3GE8187
IPB072N15N3 G E8187DKR
IPB072N15N3GE8187ATMA1CT
IPB072N15N3 G E8187
IPB072N15N3GE8187ATMA1TR
SP000938816
IPB072N15N3GE8187ATMA1DKR
IPB072N15N3 G E8187DKR-DG
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
IPB072N15N3GATMA1
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Infineon Technologies
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
4910
Номер части
IPB072N15N3GATMA1-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
2.99
Тип замещения
Parametric Equivalent
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IPD144N06NGBTMA1
MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
IPD400N06NGBTMA1
MOSFET N-CH 60V 27A TO252-3
BSP373L6327HTSA1
MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223-4
