Производитель Номер продукта:
IPB35N10S3L26ATMA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPB35N10S3L26ATMA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 100V 35A D2PAK
Подробное описание:
N-Channel 100 V 35A (Tc) 71W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Инвентаризация:
5487 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12803245
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPB35N10S3L26ATMA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
OptiMOS™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
35A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
26.3mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.4V @ 39µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
39 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2700 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
71W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-TO263-3
Упаковка / Чехол
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Базовый номер продукта
IPB35N10
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1,000
Другие названия
448-IPB35N10S3L26ATMA1TR
SP000776044
448-IPB35N10S3L26ATMA1DKR
IPB35N10S3L26ATMA1-DG
448-IPB35N10S3L26ATMA1CT
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IPI084N06L3GXKSA1
MOSFET N-CH 60V 50A TO262-3
IPC302N08N3X1SA1
MOSFET N-CH 80V 1A SAWN ON FOIL
IRFR4105ZTRL
MOSFET N-CH 55V 30A DPAK