IPB65R225C7ATMA1
Производитель Номер продукта:

IPB65R225C7ATMA1

Product Overview

Производитель:

Infineon Technologies

Номер детали:

IPB65R225C7ATMA1-DG

Описание:

MOSFET N-CH 650V 11A D2PAK
Подробное описание:
N-Channel 650 V 11A (Tc) 63W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3

Инвентаризация:

12805094
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

IPB65R225C7ATMA1 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
-
Серия
CoolMOS™ C7
Статус продукта
Discontinued at Digi-Key
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
650 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
11A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
225mOhm @ 4.8A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 240µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
996 pF @ 400 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
63W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-TO263-3
Упаковка / Чехол
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Базовый номер продукта
IPB65R

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
1,000
Другие названия
IPB65R225C7ATMA1CT
2156-IPB65R225C7ATMA1
IPB65R225C7ATMA1DKR
ROCINFIPB65R225C7ATMA1
SP000992480
IPB65R225C7ATMA1TR

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095

Альтернативные модели

Номер детали
STB18N65M5
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
STMicroelectronics
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
0
Номер части
STB18N65M5-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.32
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
IPB65R225C7ATMA2
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Infineon Technologies
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
0
Номер части
IPB65R225C7ATMA2-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.10
Тип замещения
Parametric Equivalent
Номер детали
IPB60R120P7ATMA1
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Infineon Technologies
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
2950
Номер части
IPB60R120P7ATMA1-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.47
Тип замещения
Direct
Номер детали
STB18N60M2
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
STMicroelectronics
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
916
Номер части
STB18N60M2-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.09
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
infineon-technologies

IRF7470PBF

MOSFET N-CH 40V 10A 8SO

infineon-technologies

IRF9Z34NLPBF

MOSFET P-CH 55V 19A TO262

infineon-technologies

IRF3415PBF

MOSFET N-CH 150V 43A TO220AB

infineon-technologies

IPSA70R1K4CEAKMA1

MOSFET N-CH 700V 5.4A TO251-3