Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Russian
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Russian
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Русский
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Сербия
Беларусь
Нидерланды
Швеция
Черногория
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Румыния
Австрия
Бельгия
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Аргентина
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
IPB65R225C7ATMA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPB65R225C7ATMA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 650V 11A D2PAK
Подробное описание:
N-Channel 650 V 11A (Tc) 63W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Инвентаризация:
Запрос на предложение в Интернете
12805094
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPB65R225C7ATMA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
-
Серия
CoolMOS™ C7
Статус продукта
Discontinued at Digi-Key
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
650 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
11A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
225mOhm @ 4.8A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 240µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
996 pF @ 400 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
63W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-TO263-3
Упаковка / Чехол
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Базовый номер продукта
IPB65R
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
IPB65R225C7ATMA1
HTML Спецификация
IPB65R225C7ATMA1-DG
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1,000
Другие названия
IPB65R225C7ATMA1CT
2156-IPB65R225C7ATMA1
IPB65R225C7ATMA1DKR
ROCINFIPB65R225C7ATMA1
SP000992480
IPB65R225C7ATMA1TR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
STB18N65M5
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
STMicroelectronics
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
0
Номер части
STB18N65M5-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.32
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
IPB65R225C7ATMA2
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Infineon Technologies
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
0
Номер части
IPB65R225C7ATMA2-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.10
Тип замещения
Parametric Equivalent
Номер детали
IPB60R120P7ATMA1
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Infineon Technologies
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
2950
Номер части
IPB60R120P7ATMA1-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.47
Тип замещения
Direct
Номер детали
STB18N60M2
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
STMicroelectronics
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
916
Номер части
STB18N60M2-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.09
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IRF7470PBF
MOSFET N-CH 40V 10A 8SO
IRF9Z34NLPBF
MOSFET P-CH 55V 19A TO262
IRF3415PBF
MOSFET N-CH 150V 43A TO220AB
IPSA70R1K4CEAKMA1
MOSFET N-CH 700V 5.4A TO251-3