Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Russian
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Russian
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Русский
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Сербия
Беларусь
Нидерланды
Швеция
Черногория
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Румыния
Австрия
Бельгия
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Аргентина
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
STB18N60M2
Product Overview
Производитель:
STMicroelectronics
Номер детали:
STB18N60M2-DG
Описание:
MOSFET N-CH 600V 13A D2PAK
Подробное описание:
N-Channel 600 V 13A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount D2PAK
Инвентаризация:
916 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12879278
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
STB18N60M2 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
STMicroelectronics
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
MDmesh™ II Plus
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
13A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
280mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
21.5 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±25V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
791 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
110W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
D2PAK
Упаковка / Чехол
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Базовый номер продукта
STB18
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
ST(B, P, W)18N60M2
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1,000
Другие названия
-497-13933-2
STB18N60M2-DG
-497-13933-1
497-13933-1
497-13933-2
-497-13933-6
497-13933-6
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
R6015ENJTL
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Rohm Semiconductor
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
4
Номер части
R6015ENJTL-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.65
Тип замещения
Similar
Номер детали
R6015KNJTL
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Rohm Semiconductor
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
2982
Номер части
R6015KNJTL-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.13
Тип замещения
Similar
Номер детали
IPB60R299CPAATMA1
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Infineon Technologies
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
3987
Номер части
IPB60R299CPAATMA1-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.41
Тип замещения
Similar
Сертификация DIGI
Связанные продукты
STP12NM50FD
MOSFET N-CH 500V 12A TO220AB
STP7LN80K5
MOSFET N-CH 800V 5A TO220
STP36N60M6
MOSFET N-CHANNEL 600V 30A TO220
STWA65N65DM2AG
MOSFET N-CH 650V 60A TO247