IPI45N06S4-09AKSA2
Производитель Номер продукта:

IPI45N06S4-09AKSA2

Product Overview

Производитель:

Infineon Technologies

Номер детали:

IPI45N06S4-09AKSA2-DG

Описание:

IPI45N06 - 55V-60V N-CHANNEL AUT
Подробное описание:
N-Channel 60 V 45A (Tc) 71W (Tc) Through Hole PG-TO262-3-1

Инвентаризация:

12946526
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

IPI45N06S4-09AKSA2 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
-
Серия
CoolMOS™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
45A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
9.4mOhm @ 45A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 34µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
47 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
3785 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
71W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
PG-TO262-3-1
Упаковка / Чехол
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA

Технический паспорт и документы

Технические характеристики

Дополнительная информация

Стандартный пакет
331
Другие названия
2156-IPI45N06S4-09AKSA2
INFINFIPI45N06S4-09AKSA2

Классификация окружающей среды и экспорта

ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
fairchild-semiconductor

FDZ193P

MOSFET P-CH 20V 3A 6WLCSP

fairchild-semiconductor

FDMS7580

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

fairchild-semiconductor

FDPF55N06

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5

fairchild-semiconductor

FDP039N08B-F102

MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3