Производитель Номер продукта:
IPP039N04LGHKSA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPP039N04LGHKSA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3
Подробное описание:
N-Channel 40 V 80A (Tc) 94W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Инвентаризация:
12803303
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPP039N04LGHKSA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
-
Серия
OptiMOS™
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
40 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
3.9mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2V @ 45µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
78 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
6100 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
94W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
PG-TO220-3
Упаковка / Чехол
TO-220-3
Базовый номер продукта
IPP039N
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
500
Другие названия
SP000391494
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
IPP039N04LGXKSA1
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Infineon Technologies
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
459
Номер части
IPP039N04LGXKSA1-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.50
Тип замещения
Direct
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IPD50R950CEATMA1
MOSFET N-CH 500V 4.3A TO252-3
IRF1503PBF
MOSFET N-CH 30V 75A TO220AB
IPS80R900P7AKMA1
MOSFET N-CH 800V 6A TO251-3