Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Russian
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Russian
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Русский
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Сербия
Беларусь
Нидерланды
Швеция
Черногория
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Румыния
Австрия
Бельгия
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Аргентина
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
IPW65R070C6FKSA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPW65R070C6FKSA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 650V 53.5A TO247-3
Подробное описание:
N-Channel 650 V 53.5A (Tc) 391W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-1
Инвентаризация:
Запрос на предложение в Интернете
12803790
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPW65R070C6FKSA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tube
Серия
CoolMOS™
Статус продукта
Not For New Designs
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
650 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
53.5A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
70mOhm @ 17.6A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.5V @ 1.76mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
170 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
3900 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
391W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
PG-TO247-3-1
Упаковка / Чехол
TO-247-3
Базовый номер продукта
IPW65R070
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
IPW65R070C6FKSA1
HTML Спецификация
IPW65R070C6FKSA1-DG
Дополнительная информация
Стандартный пакет
30
Другие названия
IPW65R070C6-DG
IPW65R070C6FKSA1-DG
448-IPW65R070C6FKSA1
IPW65R070C6
SP000745034
2156-IPW65R070C6FKSA1
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
TK39N60W5,S1VF
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Toshiba Semiconductor and Storage
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
3172
Номер части
TK39N60W5,S1VF-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
2.99
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
IXFX80N60P3
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
IXYS
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
3
Номер части
IXFX80N60P3-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
11.27
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
STW65N65DM2AG
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
STMicroelectronics
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
393
Номер части
STW65N65DM2AG-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
5.65
Тип замещения
Direct
Номер детали
STWA45N65M5
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
STMicroelectronics
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
339
Номер части
STWA45N65M5-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
4.27
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
IXFX64N60P3
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
IXYS
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
1060
Номер части
IXFX64N60P3-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
8.28
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IRFU120NPBF
MOSFET N-CH 100V 9.4A IPAK
IPA65R045C7XKSA1
MOSFET N-CH 650V 18A TO220-FP
IPD90P04P4L04ATMA1
MOSFET P-CH 40V 90A TO252-3
IPB80N06S2L06ATMA2
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3