Производитель Номер продукта:
IRF6623TR1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IRF6623TR1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET
Подробное описание:
N-Channel 20 V 16A (Ta), 55A (Tc) 1.4W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ ST
Инвентаризация:
12823119
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IRF6623TR1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
-
Серия
HEXFET®
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
20 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
16A (Ta), 55A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
5.7mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.2V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
17 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1360 pF @ 10 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
1.4W (Ta), 42W (Tc)
Рабочая температура
-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
DIRECTFET™ ST
Упаковка / Чехол
DirectFET™ Isometric ST
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1,000
Другие названия
SP001530184
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
RoHS non-compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
3 (168 Hours)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
IRF6623TRPBF
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Infineon Technologies
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
8615
Номер части
IRF6623TRPBF-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.89
Тип замещения
Parametric Equivalent
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IRLL2705PBF
MOSFET N-CH 55V 3.8A SOT223
FQA6N70
MOSFET N-CH 700V 6.4A TO3P
IRFP4332PBF
MOSFET N-CH 250V 57A TO247AC
