IRF7524D1PBF
Производитель Номер продукта:

IRF7524D1PBF

Product Overview

Производитель:

Infineon Technologies

Номер детали:

IRF7524D1PBF-DG

Описание:

MOSFET P-CH 20V 1.7A MICRO8
Подробное описание:
P-Channel 20 V 1.7A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount Micro8™

Инвентаризация:

12803079
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

IRF7524D1PBF Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
-
Серия
FETKY™
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
20 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
1.7A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
2.7V, 4.5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
270mOhm @ 1.2A, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
700mV @ 250µA (Min)
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
8.2 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±12V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
240 pF @ 15 V
Функция полевых транзисторов
Schottky Diode (Isolated)
Рассеиваемая мощность (макс.)
1.25W (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
Micro8™
Упаковка / Чехол
8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
80

Классификация окружающей среды и экспорта

Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
infineon-technologies

IPW60R099CPAFKSA1

MOSFET N-CH 600V 31A TO247-3

infineon-technologies

IPT029N08N5ATMA1

MOSFET N-CH 80V 52A/169A HSOF-8

infineon-technologies

IRFS7534-7PPBF

MOSFET N CH 60V 240A D2PAK

infineon-technologies

IRF7469TRPBF

MOSFET N-CH 40V 9A 8SO