Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Russian
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Russian
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Русский
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Сербия
Беларусь
Нидерланды
Швеция
Черногория
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Румыния
Австрия
Бельгия
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Аргентина
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
IRFI530N
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IRFI530N-DG
Описание:
MOSFET N-CH 100V 12A TO220AB FP
Подробное описание:
N-Channel 100 V 12A (Tc) 41W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Инвентаризация:
Запрос на предложение в Интернете
12816340
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IRFI530N Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
-
Серия
HEXFET®
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
110mOhm @ 6.6A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
44 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
640 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
41W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
PG-TO220-FP
Упаковка / Чехол
TO-220-3 Full Pack
Технический паспорт и документы
Ресурсы для проектирования
IRFI530N Saber Model
Технические характеристики
IRFI530N
HTML Спецификация
IRFI530N-DG
Дополнительная информация
Стандартный пакет
50
Другие названия
*IRFI530N
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
RoHS non-compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
IRFI530NPBF
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Infineon Technologies
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
7816
Номер части
IRFI530NPBF-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.52
Тип замещения
Direct
Номер детали
FDPF680N10T
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Fairchild Semiconductor
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
46188
Номер части
FDPF680N10T-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.64
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
2N7008-G
MOSFET N-CH 60V 230MA TO92-3
IRFC4310EF
MOSFET N-CH 100V DIE ON FILM
IRFR1205PBF
MOSFET N-CH 55V 44A DPAK
TPS1101DR
MOSFET P-CH 15V 2.3A 8SOIC