Производитель Номер продукта:
IRFP4668PBFXKMA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IRFP4668PBFXKMA1-DG
Описание:
TRENCH >=100V PG-TO247-3
Подробное описание:
N-Channel 200 V 130A (Tc) 520W Through Hole TO-247AC
Инвентаризация:
396 Шт Новые Оригиналы В Наличии
13001213
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IRFP4668PBFXKMA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tube
Серия
HEXFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
200 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
130A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
9.7mOhm @ 81A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
241 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
10720 pF @ 50 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
520W
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-247AC
Упаковка / Чехол
TO-247-3
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
25
Другие названия
SP005732696
448-IRFP4668PBFXKMA1
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
PJQ1906_R1_00001
MOSFET N-CH 30V 300MA DFN-3L
18N20
N 200V, RD(MAX)<0.16@10V,VTH1.0V
IPP033N04NF2SAKMA1
TRENCH PG-TO220-3
