Производитель Номер продукта:
IRL3714ZLPBF
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IRL3714ZLPBF-DG
Описание:
MOSFET N-CH 20V 36A TO262
Подробное описание:
N-Channel 20 V 36A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-262
Инвентаризация:
12807845
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IRL3714ZLPBF Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
-
Серия
HEXFET®
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
20 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
36A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
16mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.55V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
7.2 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
550 pF @ 10 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
35W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-262
Упаковка / Чехол
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Технический паспорт и документы
Ресурсы для проектирования
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
50
Другие названия
*IRL3714ZLPBF
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IPI65R150CFDXKSA1
MOSFET N-CH 650V 22.4A TO262-3
SPW55N80C3FKSA1
MOSFET N-CH 800V 54.9A TO247-3
SPD03N60C3ATMA1
MOSFET N-CH 600V 3.2A TO252-3
