Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Russian
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Russian
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Русский
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Сербия
Беларусь
Нидерланды
Швеция
Черногория
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Румыния
Австрия
Бельгия
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Аргентина
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
LSIC1MO120E0120
Product Overview
Производитель:
Littelfuse Inc.
Номер детали:
LSIC1MO120E0120-DG
Описание:
SICFET N-CH 1200V 27A TO247-3
Подробное описание:
N-Channel 1200 V 27A (Tc) 139W (Tc) Through Hole TO-247AD
Инвентаризация:
856 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12808943
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
LSIC1MO120E0120 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Littelfuse
Упаковка
Tube
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
SiCFET (Silicon Carbide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
1200 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
27A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
20V
Rds On (макс.) @ id, vgs
150mOhm @ 14A, 20V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 7mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
80 nC @ 20 V
Vgs (макс.)
+22V, -6V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1125 pF @ 800 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
139W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-247AD
Упаковка / Чехол
TO-247-3
Базовый номер продукта
LSIC1MO120
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
LSIC1MO120E0120
HTML Спецификация
LSIC1MO120E0120-DG
Дополнительная информация
Стандартный пакет
30
Другие названия
F11004
-LSIC1MO120E0120
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IXFH12N100F
MOSFET N-CH 1000V 12A TO247AD
IXFH6N100F
MOSFET N-CH 1000V 6A TO247
V30365-T1-GE3
MOSFET N-CH SMD
IPI45N06S4L08AKSA1
MOSFET N-CH 60V 45A TO262-3