Производитель Номер продукта:
PMPB29XNE,115
Product Overview
Производитель:
NXP USA Inc.
Номер детали:
PMPB29XNE,115-DG
Описание:
MOSFET N-CH 30V 5A DFN2020MD-6
Подробное описание:
N-Channel 30 V 5A (Ta) 1.7W (Ta), 12.5W (Tc) Surface Mount DFN1010B-6
Инвентаризация:
19000 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12947298
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
PMPB29XNE,115 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
NXP Semiconductors
Упаковка
Bulk
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
5A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
1.8V, 4.5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
33mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
900mV @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
18.6 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±12V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1150 pF @ 15 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
DFN1010B-6
Упаковка / Чехол
6-XFDFN Exposed Pad
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,184
Другие названия
2156-PMPB29XNE,115
NEXNXPPMPB29XNE,115
Классификация окружающей среды и экспорта
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
FDPF5N50NZU
MOSFET N-CH 500V 3.9A TO220F
HUF75639S3ST
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5
FDMC7660S
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4
