Производитель Номер продукта:
2SK4210
Product Overview
Производитель:
onsemi
Номер детали:
2SK4210-DG
Описание:
MOSFET N-CH 900V 10A TO3PB
Подробное описание:
N-Channel 900 V 10A (Ta) 2.5W (Ta), 190W (Tc) Through Hole TO-3PB
Инвентаризация:
12836327
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
2SK4210 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
onsemi
Упаковка
-
Серия
-
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
900 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
10A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
1.3Ohm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
-
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
75 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1500 pF @ 30 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
2.5W (Ta), 190W (Tc)
Рабочая температура
150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-3PB
Упаковка / Чехол
TO-3P-3, SC-65-3
Базовый номер продукта
2SK4210
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
100
Другие названия
ONSSNY2SK4210
2156-2SK4210-ON
ONSONS2SK4210
2156-2SK4210
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
TK9J90E,S1E
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Toshiba Semiconductor and Storage
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
0
Номер части
TK9J90E,S1E-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.07
Тип замещения
Similar
Сертификация DIGI
Связанные продукты
FDB38N30U
MOSFET N CH 300V 38A D2PAK
FCA20N60F
MOSFET N-CH 600V 20A TO3PN
FDI2532
MOSFET N-CH 150V 8A/79A I2PAK
